11.29 台中市勞工局論壇

三星 2017 年狂砸台幣 7,800 億元資本支出,為英特爾與台積電總和

三星在 2017 年的資本支出達到 260 億美元,不但金額是史無前例的紀錄,其年成長幅度也是從未見過的新高。IC Insights 進一步預計,三星在 2017 年第 4 季將有 86 億美元的資本支出,約佔全體半導體產業當季資本支出 262 億美元的 33%。

2017/11/15 出處:財訊趨勢特刊 第 0 期 作者:財經新報

隨著市場競爭加劇,半導體的競爭從產品、技術,延伸到資本支出上。根據市場調查機構 IC Insights 的最新調查報告顯示,2017 年全球半導體產業的資本支出將達到 908 億美元(約新台幣 2.74 兆元),較 2016 年成長 35% 。其中,南韓半導體大廠三星的資本支出將翻倍成長,由 2016 年 113 億美元(約新台幣 3,403 億元),成長至 2017 年的 260 億美元(約新台幣 7,834 億元),為英特爾及台積電全年資本支出的總和。

報告中表示,三星在 2017 年的資本支出達到 260 億美元,不但金額是史無前例的紀錄,其年成長幅度也是從未見過的新高。IC Insights 進一步預計,三星在 2017 年第 4 季將有 86 億美元的資本支出,約佔全體半導體產業當季資本支出 262 億美元的 33%。而三星在 2017 年第 4 季的銷售金額,則約等於全球半導體產業銷售金額的 16%。

至於,三星的 260 億美元資本支出將會如何分配?IC Insights 表示,其中在 3D NAND Flash 的方面,將花費 140 億美元在平澤(Pyeongtaek)工廠的產能擴大計畫上。另外,70 億美元將用在 DRAM 的製程轉移,以及填補因為製程轉移而損失的容量消耗上。至於,在晶圓代工的部分,將花費 50 億美元用於提升 10 奈米製程的製造能力。

對於三星的擴大資本支出,IC Insights 表示,將對於全球半導體產業造成影響。而首當其衝的,就是在 3D NAND Flash 產業上。IC Insights 解釋到,未來 3D NAND Flash 將可能因為三星的擴大產能而造成產量過剩的情況。不過,這個產量過程並非是三星一家公司所造成,而是三星帶給其他廠商,包括 SK 海力士、美光、東芝、英特爾等公司的壓力,在某些特別領域的資本支出增加,以提升產能所造成。

另外,IC Insights 也指出,三星這樣的資本支出規模,將足以阻止任何中國在 DRAM 及 3D NAND Flash 等產品新創公司進入市場的希望。尤其,在中國的相關新創公司於技術上無法與三星、SK 海力士、美光等公司競爭的情況之下,如果沒有一家大型的相關合資企業在中國出現,則中國的廠商將難以與這些領先者相互競爭。

(首圖來源:三星官網)

Add to Flipboard Magazine.
賺不停 缺貨大商機
財訊雙週刊第542期
青春轉個彎 日本打工365天冒險日記
財訊趨勢特刊第72期
熱門文章
謝金河:台達電怎麼了?

謝金河:台達電怎麼了?

這些年台達電在綠能產業,在工業4.0布局都表現很好,但股市站在萬點,素有優等生形象的台達電卻率先跌回7600的位置,如果股價會說話,是不是台達電潛藏著我們不知道的內情?

more
年終慶


TOP